[5p-A204-1~9] シリコン結晶における不純物制御の科学 ～ゲッタリングが描くウェーハの未来像～

[5p-A204-4] RTPウェーハにおける酸素析出モデルの検討

〇岡村 秀幸¹、須藤 治生¹、中村 浩三³、前田 進¹、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県大 情報工、3.岡山県大 地域共同研究機構)

キーワード：急速昇降温熱処理、酸素析出、点欠陥

Rapid Thermal Process (RTP) を施したSiウェーハの、RTP後の熱処理による酸素析出物の発生モデルを検討した。このモデルは実験結果を定性的に再現し、RTPウェーハにおける酸素析出物の核発生は凍結された空孔により促進され、発生した析出物の成長に伴う格子間シリコン濃度の増加により、空孔が消失すると核発生が停止することが示唆された。