[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

△ [5p-C11-1] 結晶化高温アニールによる原子層堆積法Al₂O₃膜バイアス安定性の向上

〇(B)堀川 清貴¹、大久保 智¹、蔭浦 泰資¹、平岩 篤^2,3,4、川原田 洋^1,2,3 (1.早大理工、2.材研、3.NTRC、4.名大未来研)

キーワード：ALD、Al2O3、アニール

結晶化高温アニールによる原子層堆積（atomic layer deposition、ALD）法により形成した Al₂O₃膜のフラットバンド電圧変動の低減が観測された。この結晶化とV_fb変動との相関およびそのリーク電流に及ぼす影響を含め、高温アニールによるV_fb変動低減効果を報告する。