[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[5p-C11-5] Si上SiO₂膜のステップエッチングに伴う表面ラフネス増加

〇(M1)我妻 匠¹ (1.筑波大)

キーワード：SiO2、ラフネス、密度