[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-15] n型GaNのショットキー接合特性と表面光起電力効果

〇大森 雅登¹、山田 真嗣^1,2、櫻井 秀樹^1,2、長田 大和²、上村 隆一郎²、加地 徹¹ (1.名大未来研、2.(株)アルバック半電研)

キーワード：窒化ガリウム、ショットキー接合

GaNはエッチングや熱処理、X線照射などによって表面状態が強く影響を受け、ショットキー接合特性やMOS特性を大きく変化させる。そのため、GaN表面状態と種々の特性変化との関係性を詳しく解明し、その原因を究明していくことが重要となる。本発表では、ドライエッチングにより表面ダメージが導入された試料を用いて表面光起電力効果を観測し、ショットキー接合特性との関連性を調べた結果を報告する。