[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [5p-C17-4] MOS構造によるGaN表面のICPエッチング誘起欠陥の評価

〇及木 達矢¹、西口 賢弥¹、山田 真嗣^2,3、桜井 秀樹^2,3、上村 隆一郎³、長田 大和³、加地 徹²、橋詰 保¹ (1.北大量集セ、2.名大未来研、3.アルバック半導研)

キーワード：半導体、窒化物半導体