[5p-C17-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [5p-C17-5] Influence of deposition power and temperature on SiO₂/AlGaN interface property deposited by PECVD

〇Daiki Terashima¹, Kenta Watanabe¹, Takahiro Yamada¹, Mikito Nozaki¹, Hongan Shih², Satoshi Nakazawa², Yoshiharu Anda², Tetsuzo Ueda², Akitaka Yoshigoe³, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic, 3.JAEA)

Keywords:semiconductor, gallium nitride, AlGaN/GaN MOSHFET

高性能AlGaN/GaN-HFETの実現にはノーマリオフ化やゲートリーク電流抑制のためMOSゲート構造が望ましいが、絶縁膜/AlGaN界面制御が重要な課題となっている。SiO₂はバンドギャップの広さからAlGaNに対する有望なゲート絶縁膜の一つであるが、報告例はAl₂O₃に比べて少なく、SiO₂/AlGaN界面特性に関する知見は不十分である。本研究ではRFプラズマCVD法およびスパッタ法によりSiO₂膜の成膜を行い、プラズマ投入電力や基板温度がSiO₂/AlGaN界面および電気特性に与える影響を評価した。