[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-9] GaN基板上原子層堆積Al₂O₃膜における経時的絶縁破壊の温度特性

〇平岩 篤^1,2、佐々木 敏夫¹、大久保 智³、川原田 洋^1,3,4 (1.早大ナノ・ライフ、2.名大未来研、3.早大理工、4.早大材研)

キーワード：Al2O3、ALD、TDDB

ALD条件を変えて形成したAl₂O₃膜のTDDB特性を比較検討した。O₃形成膜の絶縁破壊寿命は、室温においてH₂O形成膜より長いものの、200℃以上において大きく減少しH₂O形成膜に劣る。したがって、リーク電流が多いもののH₂O形成膜の方がパワー素子に適している。ただし、200℃においては定格電圧（SiO₂換算電界強度で4MV/cm）に対する絶縁破壊寿命が20年と目標にかろうじて達する水準にあり、さらなる改善が望まれる。