[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-5] 局所DLTS法の高度化によるSiO₂/4H-SiC界面の欠陥分布の高精度評価

〇山岸 裕史¹、長 康雄¹ (1.東北大)

キーワード：MOS界面、DLTS法、界面準位

DLTS法は酸化膜/半導体界面の評価手法として広く用いられている。我々は界面欠陥のミクロな面内分布を計測可能な局所DLTS法を提案してきたが、これまでの測定系では評価出来る時間波形の形状や界面欠陥のエネルギー深さの解析方法に制限があった。今回我々は測定系の改良を行い、パルス印加中の静電容量の時間変化や欠陥準位密度のエネルギー分布の正確な解析を行うことが出来るようになったのでその詳細について報告する。