[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-7] 負ゲートバイアス印加がSiC MOSFETのガンマ線照射劣化に及ぼす影響

〇武山 昭憲¹、牧野 高紘¹、大久保 秀一³、田中 雄季³、神取 幹郎³、吉江 徹³、土方 泰斗²、大島 武¹ (1.量研、2.埼玉大院理工研、3.サンケン電気)

キーワード：炭化ケイ素、金属－酸化物－半導体電界効果トランジスタ、照射効果