[5p-S42-1~15] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[5p-S42-6] p-クロロ-α-メチルスチレンを有したポジ型電子線レジストの露光特性の組成比依存性(Ⅱ)

〇(M2)落合 俊介¹、髙山 智寛¹、岸村 由紀子¹、浅田 裕法¹、岩熊 美奈子²、園田 愛恵²、星野 亮一³ (1.山口大、2.都城高専、3.ファインマテリアルシステム)

キーワード：非化学増幅型レジスト、露光特性、組成比