[6a-A201-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[6a-A201-1] The effect of annealing in O₂ ambient on the Wet oxide films on SiC (000-1)

〇Nozomu Iitsuka¹, Ryu Hasunuma¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:SiC, MOS, Insulator

SiC C面のゲート酸化膜を水蒸気雰囲気で形成することで、乾燥酸素雰囲気で形成した酸化膜(乾燥酸素酸化膜)に比べて、SiO₂/SiC界面準位密度が低減されることが知られている。一方で、水蒸気酸化膜/SiC界面準位密度が低減されるメカニズムは未だに解明されていない。今回、水蒸気酸化膜形成後に、界面での酸化反応が進行しないと考えられる低温での乾燥酸素雰囲気における熱処理を行い、熱処理が界面特性に与える影響を調査した。