[6a-A201-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[6a-A201-2] Evaluation of amount of Interfacial Oxidation during Thermal Annealing of TEOS - CVD - SiO₂ Film

〇Hiroaki Kawamura¹, Ryu Hasunuma¹, Kikuo Yamabe¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:TEOS, CVD, Interface

前回、熱処理に伴う絶縁破壊寿命の向上速度が堆積する基板により異なることを報告している。これは熱処理中にTEOS-CVD-SiO₂膜中に含まれる不純による熱酸化の速度が異なるためであると考えている。そこで、実際にTEOS-CVD-SiO₂膜堆積過程および成膜後の熱処理中に界面に形成される酸化膜厚を評価することを試みた。Si、SiCともに熱処理時間の増加に伴い、界面熱酸化膜が増加しており、また堆積直後の時点で界面に熱酸化膜が形成されたことが分かった。