[6a-A201-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [6a-A201-10] Electrical properties of Al-doped 4H-SiC fabricated by chemical wet laser doping with surface passivation films

〇(M2)Tomohiro Tsuchiya¹, Akira Suwa², Akihiro Ikeda¹, Daisuke Nakamura¹, Tanemasa Asano¹, Hiroshi Ikenoue^1,2 (1.Grad. Sch. ISEE. Kyushu Univ., 2.Gigaphoton Next GLP, Kyushu Univ.)

Keywords:4H-SiC, doping, Si passivation films

本研究グループでは、溶液中レーザー照射法により、基板温度室温下で不純物の注入と同時活性化を達成したが、僅かに表面に発生するアブレーションが問題となっていた。これまでに、Si薄膜(100 nm)を形成した4H-SiCに溶液中レーザー照射を行うと、表層にAlSi_xO_y層が形成され、この層を介しAlが注入されることを示してきた。本講演では、pn接合ダイオード特性と、pn接合界面の結晶性について報告する。