[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [6a-A201-10] 表面保護膜を用いた液中レーザードーピング法によりAlドープされた4H-SiCの電気特性評価

〇(M2)土屋 知大¹、諏訪 輝²、池田 晃裕¹、中村 大輔¹、浅野 種正¹、池上 浩^1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)

キーワード：4H-SiC、ドーピング、Si保護膜

本研究グループでは、溶液中レーザー照射法により、基板温度室温下で不純物の注入と同時活性化を達成したが、僅かに表面に発生するアブレーションが問題となっていた。これまでに、Si薄膜(100 nm)を形成した4H-SiCに溶液中レーザー照射を行うと、表層にAlSi_xO_y層が形成され、この層を介しAlが注入されることを示してきた。本講演では、pn接合ダイオード特性と、pn接合界面の結晶性について報告する。