[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6a-A201-11] SiCデバイス作製プロセスに向けた大気圧熱プラズマジェットによる大面積熱処理

〇寺本 憲司¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：半導体、シリコンカーバイド、プラズマジェット