[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6a-A201-6] 半絶縁性基板上にイオン注入で作製したnおよびpチャネルJFETの400℃動作

〇金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC、JFET、イオン注入

SiCは厳環境で動作可能なデバイス用材料として期待されている。論理デバイスとしてBJTやnJFETを用いた報告がなされている。消費電力低減の観点から、相補型論理デバイスが理想的であるが、n型およびp型デバイスを同一基板上に作製する必要がある。本研究では、イオン注入によりnJFETおよぴpJFETの同一基板上への作製を試み、その400℃動作を確認できたため報告する。