[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [6a-A201-8] SiC バイポーラトランジスタにおけるベース拡がり抵抗によるオン特性悪化を防ぐための設計条件

〇浅田 聡志¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC バイポーラトランジスタ、ベース拡がり抵抗、寄生ダイオード