2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2017年9月6日(水) 09:00 〜 12:15 A201 (201)

喜多 浩之(東大)、花房 宏明(広島大)

11:15 〜 11:30

▼ [6a-A201-9] Analysis of breakdown phenomena in 4H-SiC p-n junction diodes with a wide range of doping concentration

〇(M1)XILUN CHI1、Hiroki Niwa1、Tsunenobu Kimoto1 (1.Kyoto Univ.)

キーワード：breakdown phenomena