[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [6a-A203-4] IGZO薄膜の光吸収に与える紫外光照射と熱処理の影響

〇(M1)高森 悠圭¹、森本 貴明¹、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード：IGZO、紫外光、溶液法

大気中300℃以下で焼成した溶液法IGZO薄膜では，室温の大気中で7.2eVの紫外光を照射すると，ギャップエネルギーである約3eV以上で吸光度の減少が起こる。一方，350℃以上で焼成した薄膜に紫外光を照射しても吸光度はほとんど減少しない。低温で焼成した薄膜には水酸化物や有機化合物が多量に含まれており，これが紫外光によって価数変化や構造変化を起こし，吸光度を低くしていると考えられる。