[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [6a-C21-1] (100)SOI基板表層でのナノ構造SiC形成用ホットC⁺イオン注入法の最適化

〇小又 祐介¹、青木 孝¹、佐々木 智一²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東芝ナノアナリシス)

キーワード：量子的閉じ込め効果、発光デバイス、イオン注入

(100)SOI基板表層でのナノ構造SiC形成用ホットC⁺イオン注入法の最適化について報告する.