[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6a-C21-4] 室温ソフトプラズマによるSiC_xN_yO_z薄膜形成の反応速度式

〇渡部 亨¹、マイ ホンミン¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：プラズマＣＶＤ、SiCNO、製膜機構

室温でアルゴンプラズマ中にモノメチルシラン(SiH₃CH₃, MMS)ガスを供給することにより、非晶質SiC膜を形成する方法が開発されたことから、この方法を応用してSiC_xN_yO_z薄膜が形成されると考えられる。本研究では、膜厚と成膜条件の関係を調べることにより、SiC_xN_yO_z膜の成膜速度と供給するガスの消費速度の関係について検討した。