[6a-C21-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[6a-C21-9] Barrier property between Cu and SiO₂ by adding Zn for LSI wiring

〇(M2)Koichi Kido¹, Daisuke Ando¹, Yuji Suto¹, Junichi Koike¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:LSI wiring, diffusion barrier

LSIは、高集積化・高速化のために配線幅の微細化が進んでおり、それに伴い拡散バリア層の薄肉化も要求される。しかし、配線の微細化に伴い現在の方法ではバリア層を形成できなくなる。そのため、バリア層自己形成法に注目した。銅に元素を予め添加し、熱処理によりCu/SiO₂界面に移動させ、バリア層となる化合物を形成する方法である。本研究では、Cu-Zn合金におけるバリア層自己形成法の調査および、密着性、拡散バリア性の評価を行った。