[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-5] 4H-SiCにおける積層欠陥発生に関する応力依存性評価

〇牛流 章弘¹、加納 明¹、加藤 光章¹、廣畑 賢治¹、岡田 葵¹、太田 千春¹、西尾 譲司¹、宮里 真樹^3,4、加藤 智久⁴、米澤 喜幸⁴、泉 聡志²、奥村 元⁴ (1.(株)東芝、2.東大工、3.富士電機（株）、4.(国研)産総研)

キーワード：積層欠陥、四点曲げ、順方向劣化

SiC-PiNダイオードで発生する積層欠陥への応力依存性を調査するため，引張/圧縮応力場において積層欠陥が発生する閾値電流を測定した．<11-20>方向に-300 MPaの圧縮応力を印加した場合，無応力時と比べ閾値が約30 A/cm²低下した．また，<1-100>方向へ+300 MPaの引張応力を加えることで閾値が約40 A/cm²低下し，積層欠陥の発生/進展に応力が影響を与える可能性を実験的に示した．