[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-7] EBSD-TEMによるウェハ研削加工起因の歪み分布及び微細構造解析

〇着本 享^1,2、伊勢 立彦^1,3、瀬川 悟志^1,3、丸山 玄太²、橋本 哲²、櫻田 委大²、先崎 純寿¹、加藤 智久¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.JFEテクノリサーチ、3.旭ダイヤモンド工業)

キーワード：研削加工、歪み解析、微細構造

SiCウェハ作製にける最終CMP研磨前の工程である研削加工(#3000および#8000の砥粒径2種類)に対して、同一領域でEBSD-Wilkinson法歪み解析と断面TEM観察を実施比較した。研削加工起因の微小き裂近傍においてウェハ面内方向に顕著な引張歪みが確認され、微小き裂部における大きな歪みエネルギーの蓄積(応力歪み集中)が示唆された。本研究において、研削加工において歪みを発生させる欠陥組織など微細構造に関する主要因の明確化にした。