[6p-A301-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～

[6p-A301-4] 高純度ＧａＮエピタキシャル膜のＨＶＰＥ成長

〇藤倉 序章¹、今野 泰一郎¹、吉田 丈洋¹、堀切 文正¹ (1.サイオクス)

キーワード：GaN、HVPE、高純度

石英フリーのHVPE装置により、高純度なGaNエピタキシャル層の成長に成功した。高純度GaN層中の不純物（Si, O, C, H, Fe, Cr, Ni, Ti等）濃度は、いずれも検出下限以下であった。ドーピング無しの場合には高純度GaN層は電気的には絶縁性であり、Siドーピングにより1x10¹⁵/cm³までの電子濃度制御が可能であった。