[6p-A301-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～

[6p-A301-7] InAlN HEMT 構造のMOVPE 成長と内部電界制御の必要性

〇小谷 淳二¹、山田 敦史¹、中村 哲一¹ (1.富士通(株))

キーワード：GaN、InAlN、リーク電流

本発表では、InAlN HEMT構造におけるショットキーゲートリーク電流と転位密度の相関を明らかにすることを目的とし、GaN自立基板およびサファイア基板上に作製したInAlN HEMT構造のゲートリーク特性を評価した結果ついて議論する。
また、AlGaN HEMT構造で観察されるリーク電流量の基板種依存性と、InAlN HEMT構造で観察された特異な振る舞いについて議論するほか、In系HEMT構造におけるAlNスペーサ層の成長条件と表面モフォロジーの関係について詳細な検討を行った結果を紹介する。