[6p-C19-1~8] 新デバイス・材料開発のためのナノスケール３次元分析（Ｉ）

[6p-C19-3] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた局所DLTS法の開発とMOS界面評価

茅根 慎道¹、〇長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：局所DLTS法

本講演ではSNDM及びSHO-SNDMから始めて，それを発展させた局所DLTS法の原理をまず解説し，更に本手法をSiO₂/SiC MOS界面に適用して界面トラップの２次元分布の評価を行った一連の研究成果について解説する．