[6p-C19-1~8] Nanoscale 3D analyses for new device and materials development

[6p-C19-7] Development of Site-specific FIB Specimen Preparation Techniques with Positioning Precision in Sub 10nm for STEM/TEM Analysis of Nanoscale 3D Devices

〇Kei Watanabe¹, Amika Shima¹, Yutaka Fukushima¹ (1.Toshiba Nanoanalysis Corp.)

Keywords:FIB process, Scanning Transmission Electron Microscope(STEM), poly-Si channel

3次元デバイスである多結晶-Si ナノワイヤ薄膜トランジスタ（Ploy-Si NW TFT）の微小領域の分析のための、FIB加工を用いた特定箇所のSTEM試料作製技術を開発した例について紹介する。我々は、市販のトリプルビームFIB加工装置を用いて、FIB加工により形成される非晶質ダメージ層の厚みを制御しつつ、数nmレベルで加工領域を制御して、35nm程度の厚さのChannel部分のみを切り出す試料の作製方法を開発した。