[6p-C21-1~20] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[6p-C21-10] Fabrication of pMOSFET using Minimal Water Plasma Ashing Process

〇Noriko Miura^1,2, Takeshi Aizawa², Fumito Imura^1,3, Takeshi Yamada², Mitsunori Nogawa², Yasuhiro Onishi², Tatsuo Ishijima⁴, Hiroaki Suzuki⁴, Taishin Shimada⁴, Sommawan Khumpuang^1,3, Shiro Hara^1,3 (1.MINIMAL, 2.YONEKURA, 3.AIST, 4.KANAZAWA UNIVERSITY)

Keywords:minimalfab, resist remove process, plasma process

ミニマルファブにおける新規のレジスト除去プロセスとして、低環境負荷でダメージの低減が期待できる「水プラズマアッシング技術」を開発している。本研究では、水プラズマアッシングプロセスをフルミニマルのpMOSFET製造工程に組み込んで電気特性を評価したので、その結果について報告する。