[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-10] ミニマル水プラズマアッシングプロセスを用いたpMOSFETの試作

〇三浦 典子^1,2、相澤 洸²、居村 史人^1,3、山田 武史²、野川 満徳²、大西 康弘²、石島 達夫⁴、鈴木 宏明⁴、島田 大伸⁴、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.米倉製作所、3.産総研、4.金沢大学)

キーワード：ミニマルファブ、レジスト除去プロセス、プラズマプロセス

ミニマルファブにおける新規のレジスト除去プロセスとして、低環境負荷でダメージの低減が期待できる「水プラズマアッシング技術」を開発している。本研究では、水プラズマアッシングプロセスをフルミニマルのpMOSFET製造工程に組み込んで電気特性を評価したので、その結果について報告する。