[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-14] ミニマル深堀エッチャーとマスクアライナーによる微細なSOIダイヤフラム構造の作製

〇柳 永シュン¹、田中 広幸¹、梅山 規男¹、クンプアン ソマワン¹、長尾 昌善¹、松川 貴¹、原 史朗¹ (1.産総研)

キーワード：SOI、ダイヤフラム

今まで、我々はミニマル・メガファブハイブリッドプロセスによるSOI-CMOS開発を行ってきた。今回は、ミニマル深堀エッチャーとマスクアライアナーを用いてMEMS基本構造であるSOIダイヤフラムの試作及びその上に作製したPMOSFETの電気特性を評価したので報告する。