The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[6p-C21-1~20] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Wed. Sep 6, 2017 1:45 PM - 7:00 PM C21 (C21)

Kuniyuki Kakushima(Titech), Masato Sone(Titech)

6:15 PM - 6:30 PM

[6p-C21-18] Laser-Via Process of Half-Inch Sized Package Fabricated by Minimal Fab

Fumito Imura1,2, Michihiro Inoue1, Arami Saruwatari1, Sommawan Khumpuang1,2, Shiro Hara1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:Minimal Fab

我々はミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの開発を進めてきた。本プロセスのレーザビア加工では、ビア底にモールド樹脂の残渣(スミア)や、モールド樹脂に含有しているガラス系の球状の粒(シリカフィラー)がビア底に残存しやすく、これらがビア底でのウェハ上Al電極とCu配線との電気的接続を阻害する要因となっていた。今回、レーザビア加工プロセスとその後の洗浄プロセスについて評価を行ったので報告する。