[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [6p-C21-3] 高密度水素プラズマによるオンサイト生成シランを用いたシリコンエピ成長とドーピング

〇(M2)武居 則久¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹、大参 宏昌¹ (1.阪大院工)

キーワード：プラズマ、CVD、ドーピング

我々は，金属級Siから高純度Siを作製する一つの手法として，リモート型大気圧プラズマ化学輸送法を提案している．本手法では，高密度の水素プラズマによって固体Siを高速エッチングすることでシランガスをオンサイト生成し，危険な毒性ガスを高圧ガスとして保持する事無くSiのCVDが可能となる．今回は，不純物がドープされた固体Siから生成されるシランを用い，伝導型と導電率が制御されたエピSi膜の形成を試みた．