[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-5] ミニマルCVD装置を用いたシリコン薄膜成長における基板回転の効果

松尾 美弥¹、〇室井 光子¹、李 寧¹、羽深 等¹、三ケ原 孝則^2,3、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、エピタキシャル成長、成長条件

ミニマル・ファブに用いられるCVD装置について集光型加熱炉によって加熱したシリコンウエハの表面にトリクロロシランガスを導入することにより、実用レベルの速度で成膜可能であること、総ガス流量が装置内温度に影響を与えること、基板回転により高温領域が縮小されて気相反応による粒子発生が抑制される可能があることが示された。本研究では、基板の回転数の効果を調べたので報告する。