[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[6p-PA7-5] Effects of annealing in GaAsN Films measured by Polarization Raman Spectroscopy

〇Toshiki Wada¹, Hideaki Hashimoto¹, Yuki Yokoyama¹, Koji Maeda¹, Hidetoshi Suzuki¹ (1.Univ. of Miyazaki)

Keywords:semiconductor, GaAsN, annealing

我々は原子層エピタキシー(ALE)法によってGaAsN薄膜を作製し、結晶性の改善のために700℃で1分間アニール処理を行った。その結果、ホール効果測定によってキャリア濃度の増加や比抵抗の減少による結晶性の改善が確認された。しかしXRD測定では結晶性の改善は見られなかった[1]。本研究では、これらの試料について偏光ラマン測定を用いてGaAsN薄膜のアニール処理の影響を調査した。