[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-5] 偏光ラマン測定を用いたGaAsN薄膜のアニール処理が及ぼす影響の評価

〇和田 季己¹、橋本 英明¹、横山 祐貴¹、前田 幸治¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：半導体、GaAsN、アニール処理

我々は原子層エピタキシー(ALE)法によってGaAsN薄膜を作製し、結晶性の改善のために700℃で1分間アニール処理を行った。その結果、ホール効果測定によってキャリア濃度の増加や比抵抗の減少による結晶性の改善が確認された。しかしXRD測定では結晶性の改善は見られなかった[1]。本研究では、これらの試料について偏光ラマン測定を用いてGaAsN薄膜のアニール処理の影響を調査した。