[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-27] 水素イオン注入n-GaNの逆バイアス熱処理効果

〇伊豫田 健¹、徳田 豊¹、塩島 謙次²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛工大、2.福井大院、3.住重アテックス)

キーワード：n-GaN、水素イオン注入、熱処理

水素イオン注入n-GaNの逆バイアス熱処理効果について、CV、DLTS測定により検討した。用いた試料は、GaN基板上MOCVD n-GaNである。注入量は10¹³ cm^-2試料である。773 Kまでの30分等時熱処理で、キャリア濃度の回復は起きるものの、注入前までにはもどらない。しかしながら、引き続いて500 K、-10 V、200分の逆バイアス熱処理を行うと、さらなるキャリア濃度の回復が起きることがわかった。対照的に、DLTS信号は、逆バイアス熱処理で大きな変化を示さない。これらの挙動と注入水素の関連性について検討している。