[6p-PA8-1~31] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6p-PA8-28] Deposition and characterization of silicon dioxide film formed by surface-wave plasma enhanced chemical vapor deposition (2)

〇Makoto Baba¹, Kento Nakamura¹, Okada Hiroshi^2,1, Furukawa Masakazu³, Yamane Keisuke¹, Sekiguchi Hiroto¹, Wakahara Akihiro^1,2 (1.Toyohashi Univ.Tech, 2.EIIRIS, 3.ARLC)

Keywords:surface-wave plasma, CVD, silicon dioxide

我々は独自開発した表面波プラズマを用いたシリコン系絶縁膜の化学気相堆積法を提案している。本発表ではシリコン酸化(SiO₂)膜の堆積条件の膜質への依存性を評価した。
p型Si基板上にSiO₂膜を堆積した結果を原子間力顕微鏡により表面モフォロジーを測定した結果RNS=0.172 nmの平坦な膜が得られた。MOSダイオードを作製し、耐圧試験を行った結果6 MV/cm印加時にリーク電流10^-7 A/cm²が得られ、有機シリコン原料を用いた他のCVD法の膜と同等以下が得られた。