[7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [7a-C21-3] 高正孔移動度（380 cm²/Vs）Ge薄膜のガラス上低温合成

〇吉峯 遼太¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大院)

キーワード：ゲルマニウム、固相成長