[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7a-S22-1] 赤外分光を用いた自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定

〇堀切 文正¹、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹ (1.(株)サイオクス)

キーワード：GaN、膜厚測定、非破壊

FT-IRを用いて、自立GaN基板上にMOVPE法でホモエピタキシャル成長したn^--GaN層の膜厚を非破壊で測定した。ヘテロエピの場合、低キャリア濃度では転位散乱の影響が大きく、光学定数差はほとんどない。一方、透過率測定からGaN基板の吸収係数を求めると10¹⁷から10²⁰ cm^-3において、キャリア濃度に線形な結果が得られた。本報告では、SIMS結果から求めた膜厚との比較も報告する。