[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7a-S22-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位のアニール挙動

〇堀田 昌宏¹、成田 哲生^2,3、加地 徹³、上杉 勉²、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大材料シス研、4.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，MOVPE成長ホモエピn-GaNに対して，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．エネルギー400 keVの電子線照射によって, N変位のみを選択的に発生させたGaNで観測される深い準位EE2に対して, 今回, アニールに対する挙動を調べたので報告する. EE2ピークは，550Kのアニールを行うと電子線照射直後と比較して強度が増加し，さらに，600K，650Kとアニール温度を増加させるとその強度は減少し，アニールアウトされる様子が観測された. アニールアウトの挙動は, 他機関より報告されているHe⁺照射により形成された深い準位と一致しており，これらの準位の起源は同一であり，ともにN原子変位に関与するものであることがわかった．