[7p-A402-7~23] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [7p-A402-16] 高密度収束プラズマを用いた液体金属スパッタリング装置

〇本村 大成¹、田原 竜夫¹ (1.産総研)

キーワード：スパッタリング、高密度プラズマ、窒化ガリウム

窒化ガリウム（GaN）は、3.4 eV の広いバンドギャップを持つことから、光学素子やパワー半導体などの応用に適しており、当該分野において現在も盛んに研究が行われている。
MOCVD を始めとする様々なプロセス法で GaN の製造が行われているが、液体金属の Ga を N₂プラズマを用いてスパッタリングができれば、ターゲットの冷却機構や Ar ガスが不要になるため、簡易的な GaN 成膜プロセスが実現できる可能性がある。
本研究では、収束磁場を用いて高密度誘導結合プラズマ（ICP）をターゲットに収束照射可能な液体金属スパッタリング装置を提案する。