2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月7日(木) 13:45 〜 18:00 C17 (研修室2)

大島 孝仁(佐賀大)、阿部 友紀(鳥取大)

14:30 〜 14:45

[7p-C17-4] 異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較

小西 敬太1、後藤 健2,1、富樫 理恵1,3、村上 尚1,3、東脇 正高4、倉又 朗人2、山腰 茂伸2、Bo Monemar3,5、熊谷 義直1,3 (1.東京農工大院工、2.株式会社タムラ、3.東京農工大GIR、4.情通機構、5.リンチョーピン大)

キーワード:ハライド気相成長、酸化ガリウム、熱力学解析

本研究は、ハライド気相成長法を用いた酸化ガリウム(Ga2O3)成長時の酸素源としてO2とH2Oを用いた場合の熱力学解析と成長膜の比較・評価を行った。