17:45 〜 18:15
[7p-C18-10] 触媒成長法を用いたIV族半導体/絶縁膜の低温形成
- 高性能フレキシブル・エレクトロニクスの創出を目指して -
キーワード:半導体、金属誘起成長、フレキシブル・エレクトロニクス
IV族半導体の金属誘起成長に与える金属種、電界印加、応力印加、非晶質薄膜のボンド変調等の効果を明らかにし、フレキシブル・エレクトロニクスへの応用を展望する。