2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » IV族系半導体の製膜と低温結晶化(固相結晶化を中心に)

[7p-C18-1~11] IV族系半導体の製膜と低温結晶化(固相結晶化を中心に)

2017年9月7日(木) 13:30 〜 18:30 C18 (C18)

野口 隆(琉球大)、松尾 直人(兵庫県立大)、東 清一郎(広島大)

17:45 〜 18:15

[7p-C18-10] 触媒成長法を用いたIV族半導体/絶縁膜の低温形成
- 高性能フレキシブル・エレクトロニクスの創出を目指して -

佐道 泰造1、宮尾 正信1、角田 功2 (1.九大システム情報、2.熊本高専)

キーワード:半導体、金属誘起成長、フレキシブル・エレクトロニクス

IV族半導体の金属誘起成長に与える金属種、電界印加、応力印加、非晶質薄膜のボンド変調等の効果を明らかにし、フレキシブル・エレクトロニクスへの応用を展望する。