[7p-C19-1~10] Challenges for 'multi-scale' processing - dry, wet, or else?...

[7p-C19-9] A Novel Wafer Dicing Method Using Metal-Assisted Chemical Etching

〇Susumu Obata¹, Keiichiro Matsuo¹, Mitsuo Sano¹, Kazuhito Higuchi¹, Kazuo Shimokawa¹, Tsuyoshi Sato¹ (1.Toshiba Corporation)

Keywords:semiconductor, dicing, Metal assisted chemical Etching

半導体デバイスの小型化に伴い、従来のブレードダイシングにおいてウエハ使用効率の低下、加工時間の増加、および歩留まりの低下といった問題が顕在化してきている。これら問題の解決に向け、われわれは貴金属触媒を用いたSiの異方性ウェットエッチング技術を応用し、ウエハ全面を化学的に一括加工する高精度かつ生産性の高いケミカルダイシング技術を開発した。触媒エッチングによる微細な垂直加工を実現するため、エッチング反応中の物質移動メカニズムとサイドエッチング発生メカニズムを明確化し、触媒形状とエッチング液組成の適正化により、深さ100 μm以上で幅10 μm以下の加工を可能とした。