[7p-C23-1~22] 6.4 Thin films and New materials

[7p-C23-2] High mobility InOx Thin-film Transistors prepared by Atomic Layer Deposition

〇Takio Kizu¹, Shinya Aikawa^1,2, Yukihiro Ikeda³, Keiji Ueno³, Toshihide Nabatame¹, Kazuhito Tsukagoshi¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ., 3.Saitama Univ.)

Keywords:semiconductor, ALD, Indium oxide

酸化インジウム系材料は，膜中の酸素欠陥を調整することで，アモルファス薄膜トランジスタ（TFT）を作製出来る．今回の報告では，原子層レベルでの高い制御性と多様な成膜パラメータによる緻密な調整ができる原子層堆積法（ALD）を用いて，高い移動度のALD-InOx半導体を作製した．発表では，ALD成長温度と膜導電性及びアニール後のTFT特性との相関について議論したい．