[7p-PB6-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[7p-PB6-9] X線侵入深さ依存性を考慮した角度分解トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察

〇高橋 由美子¹、平野 馨⼀¹、志村 考功²、長町 信治³ (1.KEK-PF、2.⼤阪⼤院⼯、3.(株)⻑町サイエンスラボ)

キーワード：トポグラフィー、ロッキングカーブ、炭化ケイ素

パワーデバイス⽤SiC結晶の歪分布を放射光斜⼊射角度分解トポグラフィー法で評価している。今回はX線侵入深さに依存した歪分布の観察結果を報告する。