[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-13] GaN HEMTのゲート形状とゲート金属残留応力がゲートリーク電流に与える影響のデバイスシミュレーションによる検討

〇大石 敏之¹、山口 裕太郎²、山中 宏治² (1.佐賀大学、2.三菱電機)

キーワード：GaN、シミュレーション、応力

ゲート金属の残留応力とゲート電極形状がGaN HEMTのゲートリーク電流に与える影響をデバイスシミュレーションで検討した．歪によるゲート電極外の分極変化より電極角度による電界緩和の影響が大きく，ゲートリーク電流は残留応力よりゲート電極の角度に強く依存することがわかった．