[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [7p-S22-7] 光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

〇植村 圭佑¹、佐藤 威友¹、橋詰 保¹ (1.北大量集セ)

キーワード：窒化物半導体、電気化学、閾値電圧制御

リセスゲート構造は、AlGaN/GaN-HEMTのノーマリオフ化に有望な構造の1つであるが、低損傷で制御性に優れた加工技術が要請される。この要請に対し、我々は、光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)反応を利用したAlGaN層のエッチングを検討してきた。今回は、エッチング面のモホロジ評価と、試作したリセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの電気的特性評価を報告する。