The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[8a-A411-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Fri. Sep 8, 2017 9:00 AM - 11:45 AM A411 (411)

Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

10:00 AM - 10:15 AM

[8a-A411-5] Study on abnormal line-type soft errors in thin-BOX SOI SRAMs investigated by pulsed laser
employing two-photon absorption process

HIROAKI ITSUJI1,2, DAISUKE KOBAYASHI1,2, OSAMU KAWASAKI3, DAISUKE MATSUURA4, TAKANORI NARITA4, MASAHIRO KATO4, SHIGERU ISHII4, KAZUNORI MASUKAWA4, KAZUYUKI HIROSE1,2 (1.Univ. Tokyo, 2.ISAS/JAXA, 3.JAXA R&D, 4.MHI Ltd.)

Keywords:soft error, SOI, SRAM

最近我々のグループが行った重イオン照射試験では、薄膜BOXを有するSOI SRAMにバックバイアスを印加すると、印加しなかった時と比べ、ソフトエラー感応面積が約100倍になった。約100倍増加した時、線状のソフトエラー領域が観測された。本研究では、長い侵入長を実現でき、照射位置を固定できる国内初の二光子吸収型パルスレーザ照射システムを用いて、この異常なソフトエラーのメカニズムに迫る知見を得た。